DLC 薄膜（mó）製備技（jì）術的研究（jiū）開始（shǐ）於七十年代。1971年成功地利用碳（tàn）離子（zǐ）束沉積出DLC薄膜以來，離子束沉積（jī）法是開始用於製備 DLC膜。其後研究者發現了一係列生成DLC薄膜（mó）的辦法。
      大多數能夠（gòu）在氣相中沉積的薄膜材料也能在液相中（zhōng）通過電化學方（fāng）法（fǎ）合成，反之亦然（rán）。給DLC薄膜的製備帶來了新的思路（lù），現（xiàn）在除了常（cháng）見的（de）化學氣相沉積和物理氣相沉積(PVD)， 也可以通過液相的電（diàn）化學沉積來製備DLC膜。

1.離子束沉積（jī），是指離子源生（shēng）成（chéng）的碳離子經質量分析磁場後單一價態的（de）碳離子沉積在襯底（dǐ）上形（xíng）成類金（jīn）剛石薄膜，可獲得大離子電流、排（pái）氣能力強,可排除含氫的所有氣體;

2.濺射（shè）沉積，是指（zhǐ）利用射頻（pín）振蕩或磁場激發的氫離子轟擊（jī）固體石墨靶，形成濺（jiàn）射（shè）碳原子(或離子)，從（cóng）而在（zài）基材表麵沉積類（lèi）金剛石薄膜，這（zhè）種方法的特點是沉積離子的能量範圍寬。主要包括直流濺射、射頻濺射和磁控濺射三種具體形式；

3.陰極弧沉積，是通過點弧（hú）裝置引燃電弧，在電源的維（wéi）持和磁場的推動下，電弧在靶麵所經之處碳被蒸發並離化，同時在（zài）真空弧和基體之間增加磁過濾信道，通過調整磁場強度和偏壓等參數，使得等離子體中的（de）大顆粒中性成分及部分離子在信道中濾掉，從而獲得（dé）由單一成分碳離子組成的沉積離（lí）子。操作方便、沉（chén）積速率較快,但易造成薄膜的汙染；

4.脈衝激光沉積，是（shì）指脈衝激（jī）光（guāng）束通過聚焦（jiāo）透（tòu）鏡（jìng）和石英（yīng）窗口引入空積腔後，投射在旋轉的石墨靶上，在高（gāo）能量密度的激光作用下形（xíng）成激光等離子體（tǐ）放電，並且產生的碳離子有1keV量級的能量（liàng），在（zài）基體上（shàng）形成sp3鍵的四配位結構（gòu），最終（zhōng）形成類金剛石薄膜。沉積速率高，可（kě）以獲得高sp3含量的無氫類金剛石薄膜，但耗能高、沉積麵積小；

5.直接光化學氣相沉積，是利用光子（zǐ）促進氣體的分解來沉積類金剛石薄膜。成膜時無高能粒子輻射等問（wèn）題，基片溫度（dù）可降的很低，因而在低（dī）溫成膜（mó）方麵比較有優勢；

6.等離子體增強（qiáng）化學氣相沉積，是指通過低氣壓等離子體放電使氣體（tǐ）碳源分解生成各種含碳（tàn）的中性或離子基團(如CH3、CH2、CH+、C2等)和原（yuán）子(或離子)氫(H、H+)，並在基片負偏壓的作用下使含碳基（jī）團轟擊、吸附在（zài）基片表麵，同時（shí）原子氫對結（jié）構中sp2碳成分產生刻蝕（shí）作用,從而（ér）形（xíng）成由sp2和sp3碳混雜結構的（de）氫化類金剛（gāng）石薄膜。該方法提（tí）高了原料氣體的分解率，降低了沉積溫度，而且可以通過改變（biàn）沉積參數來獲得所（suǒ）需質量的薄膜；

7.電化學沉積，傳（chuán）統的（de）電化學沉積（jī）大多（duō）是在離子（zǐ）性的水（shuǐ）溶液或有導電介質的有機溶液中進行，溶液的導電能力很（hěn）好，因而合成過程中隻需施加很小（xiǎo）的電壓就能完成反應。但電化學沉積（jī）法製備DLC薄膜采用含碳的純淨有機溶液作為電解質（zhì），這些有機溶劑在一般條件下不會離（lí）解成離子，極化（huà）程度也很弱。

      因此通常在兩個電極之間施（shī）加很高的電壓，即利用強電場（chǎng）使溶液中的C-H、C-O和O-H等鍵發生斷裂生成碳碎（suì）片，從而使含碳的成分以極性基團或離子的（de）形式到達基片，並且在基（jī）片所處的高電位下得以（yǐ）活化，進而生成含（hán）一定sp3成分的類金剛石薄膜（mó）。